MOSFET | MERCATEO (Página 845/965)

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MOSFET Vishay SQS160ELNW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 141 A, PowerPAK 1212-8SLW (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 141 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8SLW Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SQS160ELNW-T1_GE3

a partir de € 0,366*
por unidad

VISHAY SISS80DN-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 20V, 210A, POWERPAK 1212 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 760 µohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje ...

Vishay

SISS80DN-T1-GE3

a partir de € 0,67*
por unidad

MOSFET Vishay SQS414CENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 18 A, POWERPAK 1212-8W de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dr...

Vishay

SQS414CENW-T1_GE3

a partir de € 0,239*
por unidad

VISHAY SIUD403ED-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, 20V/0.5A, POWERPAK 0806 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.01 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...

Vishay

SIUD403ED-T1-GE3

a partir de € 0,235*
por 5 unidades

MOSFET Vishay SQS460CENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, PowerPAK 1212-8W de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8W Tipo de Montaje = Montaje en PCB Conteo de Pines = 8 Modo d...

Vishay

SQS460CENW-T1_GE3

a partir de € 0,256*
por unidad

MOSFET onsemi NVTFS5124PLTG, VDSS 60 V, ID 1,7 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

onsemi

NVTFS5124PLTAG

€ 423,00*
por 1.500 unidades

MOSFET Vishay SiZ240DT-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 47 A, 48 A., PowerPAIR de 3 x 3S de 8 pines, 2elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 47 A, 48 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PowerPAIR de 3 x 3S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de ...

Vishay

SiZ240DT-T1-GE3

a partir de € 0,47*
por unidad

VISHAY SQS481ENW-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL P, POWERPAK 1212 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.91 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines ...

Vishay

SQS481ENW-T1_GE3

a partir de € 0,298*
por unidad

MOSFET Vishay SiZ254DT-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 32,5 A., PowerPAIR 3 x 3S de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 32,5 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 70 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...

Vishay

SiZ254DT-T1-GE3

a partir de € 0,405*
por unidad

MOSFET Vishay SQS484CENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 16 A, POWERPAK 1212-8W de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 16 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = POWERPAK 1212-8W Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...

Vishay

SQS484CENW-T1_GE3

a partir de € 0,254*
por unidad

MOSFET Vishay SIZ260DT-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 8,9 A, PowerPAIR 3 x 3S (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PowerPAIR 3 x 3S Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SIZ260DT-T1-GE3

a partir de € 2,465*
por 5 unidades

MOSFET Vishay SQS486CENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 18 A, POWERPAK 1212-8W de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dr...

Vishay

SQS486CENW-T1_GE3

a partir de € 0,33*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB (1 oferta)

Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 1,9A Resistencia en estado de transferencia: 4,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1...

onsemi

FQP3N80C

a partir de € 0,75*
por unidad

VISHAY SIZ322DT-T1-GE3 MOSFET DOBLE CANAL N, 25V/30A, POWERPAIR (2 ofertas)

Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 16.7 W Disipación de Potencia Canal P 16.7 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAIR Calificación - Susta...

Vishay

SIZ322DT-T1-GE3

a partir de € 0,349*
por unidad

VISHAY SQS840CENW-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, 12A, 33W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.014 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines...

Vishay

SQS840CENW-T1_GE3

a partir de € 0,218*
por unidad

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