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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
N.º art.:
     6Q9VB-FQP3N80C
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQP3N80C
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB
Tensión drenaje-fuente: 800V
Corriente del drenaje: 1,9A
Resistencia en estado de transferencia: 4,8Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 107W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 16,5nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 12A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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