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  MOSFET  (14.424 ofertas entre 5.838.189 artículos)

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VISHAY SISS72DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 150V, 25.5A, 150°C (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.035 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines...
Vishay
SISS72DN-T1-GE3
a partir de € 0,683*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPP80R750P7 transistore 800 V (1 oferta)
Infineon
IPP80R750P7XKSA1
a partir de € 0,68*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQM50P06-15L_GE3 MOSFET, CANAL P, 60V, 50A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.013 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Ca...
Vishay
SQM50P06-15L_GE3
a partir de € 0,977*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiSS76LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 67,4 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines (3 ofertas) 
El MOSFET Vishay de canal N de 70 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja Ajustado para el FOM RDS x ...
Vishay
SiSS76LDN-T1-GE3
a partir de € 0,483*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXH020U90MNF2PTG, VDSS 900 V, ID 149 A de 20 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 149 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 20 Material del transistor = SiC
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
a partir de € 194,765*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SQS160ELNW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 141 A, PowerPAK 1212-8SLW (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 141 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8SLW Tipo de Montaje = Montaje superficial
Vishay
SQS160ELNW-T1_GE3
a partir de € 0,366*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS80DN-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 20V, 210A, POWERPAK 1212 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 760 µohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje ...
Vishay
SISS80DN-T1-GE3
a partir de € 0,67*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SQS414CENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 18 A, POWERPAK 1212-8W de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dr...
Vishay
SQS414CENW-T1_GE3
a partir de € 0,239*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSS138BWAHZGT106, VDSS 60 V, ID 380 mA, UMT de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 380 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia...
ROHM Semiconductor
BSS138BWAHZGT106
a partir de € 0,387*
por 5 unidades
 
 envase
VISHAY SIUD403ED-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, 20V/0.5A, POWERPAK 0806 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.01 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...
Vishay
SIUD403ED-T1-GE3
a partir de € 0,235*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SQS460CENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, PowerPAK 1212-8W de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8W Tipo de Montaje = Montaje en PCB Conteo de Pines = 8 Modo d...
Vishay
SQS460CENW-T1_GE3
a partir de € 0,256*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiZ240DT-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 47 A, 48 A., PowerPAIR de 3 x 3S de 8 pines, 2elementos (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 47 A, 48 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PowerPAIR de 3 x 3S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de ...
Vishay
SiZ240DT-T1-GE3
a partir de € 0,47*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQS481ENW-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL P, POWERPAK 1212 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.91 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines ...
Vishay
SQS481ENW-T1_GE3
a partir de € 0,298*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 190A; 370W; D2PAK-7 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: D2PAK-7 Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 190A Resistencia en estado de transferencia: 2,6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
Infineon
AUIRFS3107-7P
a partir de € 4,57*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiZ254DT-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 32,5 A., PowerPAIR 3 x 3S de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 32,5 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 70 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...
Vishay
SiZ254DT-T1-GE3
a partir de € 0,405*
por unidad
 
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