N.º art.: 3318E-2105017
N.º fabricante: SiSS76LDN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
El MOSFET Vishay de canal N de 70 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo 100 % RG y prueba UIS
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
67,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
70 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK 1212-8S
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0052 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
0.4 → 1.6V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
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2105017 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SiSS76LDNT1GE3
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