VISHAY SQS481ENW-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL P, POWERPAK 1212

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.91 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 4.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 150 V Disipación de Potencia 62.5 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)