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Interruptor de potencia inteligente VNP10N07-E, OMNIFET: MOSFET de potencia con protección automática integral 70V 10A (3 ofertas)

MOSFET de potencia con protección automática integral OMNIFET, STMicroelectronics. La serie OMNIFET de controladores de lado bajo con protección automática integral se valoran con criterios de robu...

ST Microelectronics

VNP10N07-E

a partir de € 1,13*
por unidad

MOSFET DiodesZetex ZXMP10A18KTC, VDSS 100 V, ID 5,9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal P, 100 V a 450 V, Diodes Inc.

Diodes

ZXMP10A18KTC

a partir de € 3,345*
por 5 unidades

Infineon IPD30N10S3L-34 transistore 100 V (2 ofertas)

Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1

a partir de € 2,60*
por 5 unidades

Infineon IRF2805 transistore 100 V (3 ofertas)

Infineon

IRF2805PBF

a partir de € 1,06*
por unidad

MOSFET IXYS IXFH36N50P, VDSS 500 V, ID 36 A, TO-247AD de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

IXYS

IXFH36N50P

a partir de € 6,14*
por unidad

MOSFET IXYS IXFH15N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 15 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas)

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3. Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja desca...

IXYS

IXFH15N100Q3

a partir de € 10,48*
por unidad

MOSFET IXYS IXFN140N20P, VDSS 200 V, ID 115 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

IXYS

IXFN140N20P

a partir de € 18,93*
por unidad

Infineon SPP04N80C3 transistore 700 V (3 ofertas)

Infineon

SPP04N80C3XKSA1

a partir de € 0,683*
por unidad

MOSFET IXYS IXFK27N80Q, VDSS 800 V, ID 27 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Q. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

IXYS

IXFK27N80Q

a partir de € 18,79*
por unidad

Infineon SPA17N80C3 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

SPA17N80C3XKSA1

a partir de € 2,02*
por unidad

MOSFET Nexperia PMPB11EN,115, VDSS 30 V, ID 9 A, DFN2020 de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal N, hasta 30V

Nexperia

PMPB11EN,115

a partir de € 0,141*
por unidad

MOSFET onsemi FQU11P06TU, VDSS 60 V, ID 9,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de m...

onsemi

FQU11P06TU

a partir de € 0,323*
por unidad

MOSFET onsemi RFD14N05L, VDSS 50 V, ID 14 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...

onsemi

RFD14N05L

a partir de € 0,713*
por unidad

MOSFET onsemi RFD14N05LSM9A, VDSS 50 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

onsemi

RFD14N05LSM9A

a partir de € 3,07*
por 10 unidades

MOSFET onsemi RFD16N05LSM9A, VDSS 50 V, ID 16 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento...

onsemi

RFD16N05LSM9A

a partir de € 2,65*
por 5 unidades

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