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  MOSFET  (14.424 ofertas entre 5.838.688 artículos)

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VISHAY SQJ463EP-T1 GE3 MOSFET, P-CH, -40V, -30A, POWERPAK SO, T (1 oferta) 
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Montaje de Transistor Surface Mount Gama de Producto TrenchFET SQ Series Corriente de Drenaje...
Vishay
SQJ463EP-T1 GE3
a partir de € 1,74*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SISH108DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 20V, 14A, 150°C, 1.5W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0041 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen II Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SISH108DN-T1-GE3
a partir de € 0,226*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISH112DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 11.3A, 150°C, 1.5W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.006 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines...
Vishay
SISH112DN-T1-GE3
a partir de € 0,591*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMTS4D3N15MC, VDSS 150 V, ID 165 A, DFNW8 de 8 pines (2 ofertas) 
The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced opti...
onsemi
NVMTS4D3N15MC
a partir de € 2,95*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 16 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
TrenchFET® power MOSFET
Vishay
SQJ481EP-T1_GE3
a partir de € 0,338*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISH116DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 10.5A, 150°C, 1.5W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0065 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SISH116DN-T1-GE3
a partir de € 0,611*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJ560EP-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N/P, 60V, 30A (1 oferta) 
Tipo de Canal Canal complementario N y P Disipación de Potencia Canal N 34 W Disipación de Potencia Canal P 34 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Cal...
Vishay
SQJ560EP-T1_GE3
a partir de € 0,536*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67,4 A, POWERPAK 1212-8SH de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 67,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Vishay
SiSH536DN-T1-GE3
a partir de € 0,17*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5,8A; Idm: 23,2A; 30W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 5,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,85Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
Toshiba
TK6A65W,S5X(M
a partir de € 0,79*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJ850EP-T1_GE3 MOSFET, N CH, W DIODE, 60V, 24A, POPAK8L (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Vishay
SQJ850EP-T1_GE3
a partir de € 0,655*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiSHA12ADN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 25 A, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET N-Channel 30 V (D-S).MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Vishay
SiSHA12ADN-T1-GE3
a partir de € 0,267*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS02DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 25V, 80A, POWERPAK 1212 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.001 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines ...
Vishay
SISS02DN-T1-GE3
a partir de € 0,548*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS08DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 25V, 195.5A, 150°C (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00102 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...
Vishay
SISS08DN-T1-GE3
a partir de € 0,415*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMYS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 252 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requ...
onsemi
NVMYS1D3N04CTWG
€ 2.664,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SQJA26EP-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 410 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 410 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 N...
Vishay
SQJA26EP-T1_GE3
a partir de € 0,698*
por unidad
 
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