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MOSFET onsemi NVMYS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 252 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1858162
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NVMYS1D3N04CTWG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses LFPAK4 Package, Industry Standard PPAP Capable These Devices are Pb−Free
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
252 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
LFPAK, SOT-669
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,15 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
134 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1858162, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NVMYS1D3N04CTWG
Resumen de condiciones1
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Precio
€ 2.664,00*
1 envase contiene 3.000 unidades (€ 0,888* por unidad)
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