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  MOSFET  (14.433 ofertas entre 5.839.253 artículos)

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VISHAY SQJQ466E-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 60V, POWERPAK (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0017 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SQJQ466E-T1_GE3
a partir de € 1,23*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISS4402DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 128 A, 1212-8S de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 128 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de ...
Vishay
SISS4402DN-T1-GE3
a partir de € 0,615*
por unidad
 
 unidad
Infineon IRFB3307 transistore 100 V (1 oferta)
Infineon
IRFB3307PBF
a partir de € 1,44*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISS5108DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 55,9 A, 1212-8S de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo d...
Vishay
SISS5108DN-T1-GE3
a partir de € 0,652*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXH020U90MNF2PTG, VDSS 900 V, ID 149 A de 20 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 149 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 20 Material del transistor = SiC
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
a partir de € 194,765*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQM100P10-19L_GE3 MOSFET, CANAL P, 100V, 93A, 175°C, 375W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0155 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal C...
Vishay
SQM100P10-19L_GE3
a partir de € 1,46*
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 unidad
MOSFET Vishay SiSS52DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 162 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET Vishay de canal N de 30 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.MOSFET de alimentación TrenchFET Gen V. Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja Permite una mayor densidad d...
Vishay
SiSS52DN-T1-GE3
a partir de € 0,372*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQM120N06-06_GE3 MOSFET, CANAL N, 60V, 120A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0045 ohm Gama de Producto TrenchFET Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...
Vishay
SQM120N06-06_GE3
a partir de € 1,33*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISS5623DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 36,3 A, 1212-8S de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 36,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de...
Vishay
SISS5623DN-T1-GE3
a partir de € 0,647*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 90A Resistencia en estado de transferencia: 8,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 310W...
onsemi
FDB045AN08A0
a partir de € 2,10*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQM30010EL_GE3 MOSFET, CANAL N, 120A, 30V, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0011 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
Vishay
SQM30010EL_GE3
a partir de € 1,42*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET N-Channel 30 V (D-S) con Diodo Schottky.MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV SKYFET® con diodo Schottky monolítico RDS x Qg y RDS x QGD FOM optimizados permiten una mayor eficiencia en l...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
a partir de € 0,525*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiSS63DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 127,5 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines (3 ofertas) 
El Vishay SiSS63DN-T1-GE3 es un MOSFET de canal P 20V (D-S).MOSFET de alimentación de canal p TrenchFET® Gen III RDS(on) de liderazgo en encapsulado térmicamente mejorado y compacto 100 % Rg y prue...
Vishay
SiSS63DN-T1-GE3
a partir de € 0,416*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS72DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 150V, 25.5A, 150°C (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.035 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines...
Vishay
SISS72DN-T1-GE3
a partir de € 0,683*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQM50P06-15L_GE3 MOSFET, CANAL P, 60V, 50A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.013 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Ca...
Vishay
SQM50P06-15L_GE3
a partir de € 0,977*
por unidad
 
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