VISHAY SQJQ466E-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 60V, POWERPAK

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0017 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 200 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 150 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)