N.º art.: 3318E-2799991
N.º fabricante: SISS5108DN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
55,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
1212-8S
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
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