N.º art.: 3318E-2006848
N.º fabricante: SiSS63DN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
El Vishay SiSS63DN-T1-GE3 es un MOSFET de canal P 20V (D-S).MOSFET de alimentación de canal p TrenchFET® Gen III RDS(on) de liderazgo en encapsulado térmicamente mejorado y compacto 100 % Rg y prueba UIS
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
127,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK 1212-8S
Serie:
TrenchFET® Gen III
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,007 Ω, 0,0027 Ω, 0,0036 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1.5V
Número de Elementos por Chip:
1
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