N.º art.: 6368-3280624
N.º fabricante: SISS63DN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0022 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 127.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212-8S Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 65.8 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SISS63DN-T1-GE3 ,
3280624 ,
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