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| N.º art.:
6368-1869932 N.º fabricante:
SQJ850EP-T1_GE3 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 24 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 45 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SQJ850EP-T1_GE3, 1869932, 186-9932 |
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