N.º art.: 6368-2932983
N.º fabricante: SIZ322DT-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 16.7 W Disipación de Potencia Canal P 16.7 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAIR Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021) Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 25 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 30 A Gama de Producto TrenchFET Gen IV Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 25 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 30 A
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Transistores ,
Transistor ,
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Discretos ,
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SIZ322DT-T1-GE3 ,
2932983 ,
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