VISHAY SQS840CENW-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, 12A, 33W

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.014 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 12 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 33 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)