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  Transistores de potencia  (19.444 ofertas entre 5.811.927 artículos)

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DIODES INC. ZTX551 TRANSISTOR, PNP, E-LINE (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición 150 MHz Tensión Col...
Diodes
ZTX551
a partir de € 0,224*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS150R12KT4B11BOSA1, 150 A, 1.200 V 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 750 W
Infineon
FS150R12KT4B11BOSA1
€ 1.677,47*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FS3L400R10W3S7FB11BPSA1, 120 A, 950 V, AG-EASY3B 6 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 120 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 950 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = AG-EASY3B Tipo ...
Infineon
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1
a partir de € 170,768*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. ZTX560 TRANS, PNP, 500V, 0.15A, 150°C, 1W (1 oferta) 
Gama de Producto ZTX Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición 60 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 500 V Encapsulado ...
Diodes
ZTX560
a partir de € 0,243*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM6-4, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247-4 de 4 pines (2 ofertas) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una ca...
ST Microelectronics
STW70N60DM6-4
a partir de € 8,12*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. ZVN3310ASTZ MOSFET, CANAL N, 100V, 0.2A, E-LINE (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 10 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrient...
Diodes
ZVN3310ASTZ
a partir de € 0,291*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FZ600R17KE4HOSA1, 840 A, 1700 V 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 840 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 3,35 kW
Infineon
FZ600R17KE4HOSA1
a partir de € 199,753*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. ZTX651STZ TRANS, NPN, 60V, 2A, 200°C, 1.5W (1 oferta) 
Gama de Producto ZTX Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor NPN Frecuencia de Transición 175 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 60 V Encapsulado ...
Diodes
ZTX651STZ
a partir de € 0,30*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS200R12PT4PBOSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, Módulo, 20-Pines 6 Paquete de seis (1 oferta) 
El módulo IGBT Infineon EasyPack de seis paquetes con tecnología de contacto TRENCHSTOP IGBT4, NTC y Pressfit. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V y una corriente de colector de 200 ...
Infineon
FS200R12PT4PBOSA1
€ 1.575,63*
por 6 unidades
 
 envase
DIODES INC. ZVN4210GTA MOSFET, N CH, 100V, 0,8A, SOT223 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje d...
Diodes
ZVN4210GTA
a partir de € 0,389*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS75R17W2E4PB11BPSA1, 45 A, 1700 V, EasyPACK, 35-Pines 6 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 45 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = EasyPACK Tipo d...
Infineon
FS75R17W2E4PB11BPSA1
a partir de € 57,41*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. ZTX657STZ TRANS, NPN, 300V, 0.5A, 200°C, 1W (1 oferta) 
Gama de Producto ZTX Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor NPN Frecuencia de Transición 30 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 300 V Encapsulado ...
Diodes
ZTX657STZ
a partir de € 0,308*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics STW70N65DM6-4, VDSS 650 V, ID 68 A, TO-247 de 3 pines (3 ofertas) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una ca...
ST Microelectronics
STW70N65DM6-4
a partir de € 9,11*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. ZVN4306GVTA MOSFET, CANAL N, 60V, 2.1A, SOT-223 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.22 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...
Diodes
ZVN4306GVTA
a partir de € 0,616*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FZ900R12KE4HOSA1, 900 A, 1200 V 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 900 MHZ Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 4,3 kW
Infineon
FZ900R12KE4HOSA1
a partir de € 199,406*
por unidad
 
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