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Módulo IGBT, FZ900R12KE4HOSA1, 900 A, 1200 V 1


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2445889
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FZ900R12KE4HOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 900 MHZ
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 4,3 kW
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
900 MHZ
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
4,3 kW
Número de transistores:
1
Otros conceptos de búsqueda: transistor de potencia, 2445889, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FZ900R12KE4HOSA1
Resumen de condiciones1
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a partir de 3 unidades
€ 199,406*
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