N.º art.: 3318E-2025548
N.º fabricante: STW70N65DM6-4
EAN/GTIN: Sin datos
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.100 % a prueba de avalancha Protección Zener
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
68 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
ST
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,036 Ω
Modo de Canal:
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.75V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
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