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Módulo IGBT, FS150R12KT4B11BOSA1, 150 A, 1.200 V 6


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2445407
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FS150R12KT4B11BOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V
Número de transistores = 6
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
150 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
+/-20V
Disipación de Potencia Máxima:
750 W
Número de transistores:
6
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2445407, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FS150R12KT4B11BOSA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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