Transistores de potencia | MERCATEO (Página 706/1.298)

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Módulo MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM6-4, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247-4 de 4 pines (2 ofertas)

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una ca...

ST Microelectronics

STW70N60DM6-4

a partir de € 8,13*
por unidad

DIODES INC. FZT591TA TRANS, PNP, 60V, 1A, 150°C, 2W (1 oferta)

Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición ...

Diodes

FZT591TA

a partir de € 0,24*
por unidad

Módulo transistor IGBT, IKW75N65RH5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO247-3 2 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 395 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3

Infineon

IKW75N65RH5XKSA1

a partir de € 8,128*
por unidad

DIODES INC. FZT651QTA TRANS, NPN, 60V, 3A, 150°C, 2W (2 ofertas)

Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor NPN Frecuencia de Transición ...

Diodes

FZT651QTA

a partir de € 0,207*
por unidad

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta)

STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia d...

ST Microelectronics

SCT10N120

a partir de € 7,584*
por unidad

DIODES INC. FZT651QTC TRANS, NPN, 60V, 3A, 150°C, 2W (1 oferta)

Diodes

FZT651QTC

a partir de € 0,228*
por unidad

DIODES INC. FZT651TC TRANS, NPN, 60V, 3A, 150°C, 2W (1 oferta)

Diodes

FZT651TC

a partir de € 0,21*
por unidad

Módulo MOSFET STMicroelectronics STW70N65DM6-4, VDSS 650 V, ID 68 A, TO-247 de 3 pines (3 ofertas)

ST Microelectronics

STW70N65DM6-4

a partir de € 8,38*
por unidad

DIODES INC. FZT751QTA TRANS, PNP, 60V, 3A, 150°C, 2W (1 oferta)

Diodes

FZT751QTA

a partir de € 1,42*
por 5 unidades

MOSFET DiodesZetex DMC3060LVT-7, VDSS 30 V, ID 2,8 A, 3,6 A, TSOT-26 de 6 pines, 2elementos (1 oferta)

El MOSFET DiodesZetex 30V de modo de mejora de par complementario está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo conv...

Diodes

DMC3060LVT-7

€ 360,00*
por 3.000 unidades

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG, VDSS 650 V, ID 98 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta)

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispos...

ST Microelectronics

SCTH100N65G2-7AG

a partir de € 23,473*
por unidad

DIODES INC. FZT753TC TRANS, PNP, 100V, 2A, 150°C, 2W (1 oferta)

Disipación de Potencia 3 W Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...

Diodes

FZT753TC

a partir de € 0,252*
por unidad

DIODES INC. FZT755TA TRANS, PNP, 150V, 1A, 150°C, 2W (1 oferta)

Diodes

FZT755TA

a partir de € 0,33*
por unidad

Módulo transistor IGBT, IGP50N60TXKSA1, 90 A, 600 V, PG-TO220-3 3 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 90 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 3 Tipo de Encapsulado = PG-TO220-3

Infineon

IGP50N60TXKSA1

a partir de € 2,911*
por unidad

DIODES INC. FZT796ATA TRANSISTOR, PNP, 200V, 0.5A, SOT-223 (1 oferta)

Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición 100 MHz Tensión ...

Diodes

FZT796ATA

a partir de € 0,302*
por unidad

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