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Módulo transistor IGBT, IKW75N65RH5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO247-3 2


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2496946
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IKW75N65RH5XKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V
Disipación de Potencia Máxima = 395 W
Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
15V
Disipación de Potencia Máxima:
395 W
Número de transistores:
2
Configuración:
Único
Tipo de Encapsulado:
PG-TO247-3
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2496946, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IKW75N65RH5XKSA1
Resumen de condiciones1
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