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  Transistores  (8.249 ofertas entre 5.840.932 artículos)

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Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente unifase de diodo; Ic: 30A (2 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Carcasa: AG-EASY1B-1 Tensión de retorno máx.: 0,6kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 30A Corrie...
Infineon
FB30R06W1E3BOMA1
a partir de € 26,26*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDA114EU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 10 kohm Resistencia Base-Emisor R2 10 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DDA114EU-7-F
a partir de € 0,2175*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKP15N65H5XKSA1, 30 A, 650 V, PG-TO220-3 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 30 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 105 W Tipo de Encapsulado = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partir de € 1,01*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,7kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 75A Corriente de colector ...
IXYS
IXBN75N170
a partir de € 78,17*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDC143TU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 4.7 kohm Resistencia Base-Emisor R2 - Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaj...
Diodes
DDC143TU-7-F
a partir de € 0,272*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKW50N65H5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 305 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
a partir de € 3,485*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 0,6kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 140A Corriente de colector...
IXYS
IXYN150N60B3
a partir de € 33,85*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDA123JU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 2.2 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor ...
Diodes
DDA123JU-7-F
a partir de € 0,203*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKW75N65RH5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO247-3 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 395 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partir de € 8,128*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (3 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 65A Corriente de colector ...
IXYS
IXA70I1200NA
a partir de € 22,24*
por unidad
 
 unidad
Módulo transistor IGBT, IKW50N65SS5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Número de transistores = 2 Configuración = Único
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partir de € 239,16*
por 30 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; diodo/transistor; rectificador de 3-fásico; Ic: 6A (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Carcasa: AG-EASY1B-1 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 6A Corrien...
Infineon
FP06R12W1T4B3BOMA1
a partir de € 30,77*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDC113TU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 1 kohm Resistencia Base-Emisor R2 - Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje ...
Diodes
DDC113TU-7-F
a partir de € 0,272*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3 (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 305 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
a partir de € 2,15*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 0,6kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 200A Corriente de colector...
IXYS
IXGN400N60B3
a partir de € 40,87*
por unidad
 
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