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  Transistores  (8.408 ofertas entre 5.840.259 artículos)

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Módulo transistor IGBT, IGP50N60TXKSA1, 90 A, 600 V, PG-TO220-3 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 90 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 3 Tipo de Encapsulado = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
a partir de € 2,911*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 56A; SOT227B (3 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 56A Corriente de colector ...
IXYS
IXA60IF1200NA
a partir de € 22,71*
por unidad
 
 unidad
Módulo transistor IGBT, IKP15N65H5XKSA1, 30 A, 650 V, PG-TO220-3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 30 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 105 W Tipo de Encapsulado = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partir de € 1,64*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: V1-A-Pack Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 40A Corriente de colector en ...
IXYS
VUB72-12NOXT
a partir de € 33,10*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX143TU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 4.7 kohm Resistencia Base-Emisor R2 - Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaj...
Diodes
DCX143TU-7-F
a partir de € 0,1755*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKP10N60TXKSA1, 24 A, 600 V, PG-TO-220-3 3 (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 24 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 110 W Tipo de Encapsulado = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
a partir de € 0,681*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Carcasa: AG-ECONO3-3 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 75A Corrie...
Infineon
FP75R12KT4
a partir de € 209,22*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX115EU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Resistencia de Entrada Base R1 100 kohm Resistencia Base-Emisor R2 100 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor Complemento NP...
Diodes
DCX115EU-7-F
a partir de € 0,3595*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, FS75R07W2E3B11ABOMA1, 95 A, 650 V, ACEPACK 2 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 95 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 275 W Tipo de Encapsulado = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
a partir de € 44,52*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 50A Corriente de colector ...
IXYS
IXGN50N120C3H1
a partir de € 31,01*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDA114YU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (2 ofertas) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 10 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DDA114YU-7-F
a partir de € 0,117*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKP10N60TXKSA1, 24 A, 600 V, PG-TO-220-3 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 24 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 3 Tipo de Encapsulado = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
a partir de € 1,094*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,7kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 21A Corriente de colector ...
IXYS
IXBN42N170A
a partir de € 29,81*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX124EK-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-26 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 22 kohm Resistencia Base-Emisor R2 22 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DCX124EK-7-F
a partir de € 0,272*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 305 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
a partir de € 2,986*
por unidad
 
 unidades
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