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Módulo transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2591533
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IKW50N65F5FKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 305 W
Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
305 W
Tipo de Encapsulado:
PG-TO247-3
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2591533, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IKW50N65F5FKSA1
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