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  Transistores  (8.408 ofertas entre 5.841.163 artículos)

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Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 650V Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 100A Corriente ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU3
a partir de € 24,52*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDA144EU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 47 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DDA144EU-7-F
a partir de € 0,272*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKW40N65RH5XKSA1, 40 A, 650 V, PG-TO247-3 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partir de € 143,61*
por 30 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; diodo/transistor; medio puente IGBT; Urmax: 1,2kV (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: IXYS Carcasa: SMPD-B Tensión de r...
IXYS
IXA20PG1200DHGLB
a partir de € 7,87*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX143EU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 4.7 kohm Resistencia Base-Emisor R2 4.7 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor...
Diodes
DCX143EU-7-F
a partir de € 0,2175*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IGW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 305 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
a partir de € 2,30*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; 1,25kW (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,7kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 160A Corriente de colector...
IXYS
IXGN200N170
a partir de € 58,79*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDC114TU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (2 ofertas) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 10 kohm Resistencia Base-Emisor R2 - Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje...
Diodes
DDC114TU-7-F
a partir de € 0,117*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKW40N65RH5XKSA1, 40 A, 650 V, PG-TO247-3 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partir de € 5,475*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,7kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 42A Corriente de colector ...
IXYS
IXBN75N170A
a partir de € 48,05*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX143ZU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (2 ofertas) 
Gama de Producto - Resistencia de Entrada Base R1 4.7 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor Complemento NPN...
Diodes
DCX143ZU-7-F
a partir de € 0,1355*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKW50N65RH5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 305 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
a partir de € 6,465*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±30V Corriente de colector: 29A Corri...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J
a partir de € 37,38*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDC123JU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 2.2 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor ...
Diodes
DDC123JU-7-F
a partir de € 0,2215*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, IKW50N65H5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 305 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
a partir de € 2,77*
por unidad
 
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