Categorías
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse
Cesta
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23.963 ofertas entre 5.799.589 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Realizar un pedido
atrás
Infineon
IPG16N10S461AATMA1
€ 2.265,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1,52W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 9A Resistencia en estado de transferencia: 20mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disip...
Diodes
DMN4468LSS-13
a partir de € 0,133*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMFS5C420NLT1G, VDSS 40 V, ID 277 A, DFN de 5 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de alimentación de automoción DE on Semiconductor en un encapsulado de cable plano 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Está disponible...
onsemi
NVMFS5C420NLT1G
a partir de € 1,35*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPDD60R125G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 20 A, PG-HDSOP-10 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PG-HDSOP-10 Tipo de Montaje = SMD
Infineon
IPDD60R125G7XTMA1
a partir de € 3,416*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,8A; 0,6W; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 5,8A Resistencia en estado de transferencia: 28mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
Diodes
DMN3023L-7
a partir de € 0,092*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NVTFS5C670NLTAG MOSFET AEC-Q101 CANAL N 60V 70A WDFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0056 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
onsemi
NVTFS5C670NLTAG
a partir de € 0,548*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD90N04S403ATMA1, VDSS 40 V, ID 90 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
La gama Infineon de nuevos OptiMOS -T2 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y accionamientos eléctricos. La nueva familia de productos OptiMOS -T2 amplía las f...
Infineon
IPD90N04S403ATMA1
a partir de € 0,959*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NVMFS5C420NT1G, VDSS 40 V, ID 268 A, DFN de 5 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de alimentación de automoción DE on Semiconductor en un encapsulado de cable plano 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Está disponible...
onsemi
NVMFS5C420NT1G
a partir de € 1,35*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NVTFS5C673NLWFTAG MOSFET AEC-Q101 CANAL N 60V 50A WDFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0081 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
onsemi
NVTFS5C673NLWFTAG
a partir de € 0,582*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0,13A; 1,8W; SOT89 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: SOT89 Tensión drenaje-fuente: 350V Corriente del drenaje: 0,13A Resistencia en estado de transferencia: 8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,8W P...
IXYS
CPC3708CTR
a partir de € 0,34*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NVMFS5C426NAFT1G MOSFET, CANAL N, 40V, 235A, 175°C, 128W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0011 ohm Gama de Producto - Número de Pines 5 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
onsemi
NVMFS5C426NAFT1G
a partir de € 1,42*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, QDPAK de 22 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = IPDQ60R010S7A Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 22 Resistencia Máx...
Infineon
IPDQ60R010S7AXTMA1
a partir de € 17,712*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,8A; Idm: 30A; 2W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 5,8A Resistencia en estado de transferencia: 27mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
Diodes
DMN3033LSD-13
a partir de € 0,224*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVTFS6H854NTAG, VDSS 80 V, ID 44 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspecti...
onsemi
NVTFS6H854NTAG
a partir de € 1,68*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPD90N04S4L04ATMA1, VDSS 40 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia de nivel normal de canal N Infineon se utiliza para aplicaciones de automoción. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia ...
Infineon
IPD90N04S4L04ATMA1
a partir de € 0,571*
por unidad
 
 unidades
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   851   852   853   854   855   856   857   858   859   860   861   ..   1598   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.