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  MOSFET  (23.967 ofertas entre 5.797.144 artículos)

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MOSFET onsemi NVMYS025N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 21 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de auto...
onsemi
NVMYS025N06CLTWG
a partir de € 1,495*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; 18,5W; DFN3.3x3.3 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN3.3x3.3 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 59A Resistencia en estado de transferencia: 1,25mΩ Tipo de transistor: N-...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7510
a partir de € 0,62*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPDD60R045CFD7XTMA1, ID 61 A, PG-HDSOP (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 61 A Tipo de Encapsulado = PG-HDSOP Tipo de Montaje = SMD
Infineon
IPDD60R045CFD7XTMA1
a partir de € 6,109*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,8A; 2W; SOT26 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT26 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 5,8A Resistencia en estado de transferencia: 40mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
Diodes
DMN3033LDM-7
a partir de € 0,10*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NVMYS5D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 71 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de auto...
onsemi
NVMYS5D3N04CTWG
a partir de € 1,80*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, QDPAK de 22 pines (2 ofertas) 
El Infineon IPDQ60R010S7A es un MOSFET de alimentación de alta tensión diseñado como interruptor estático conforme al principio de superunión (SJ). El mosfet combina la experiencia del proveedor lí...
Infineon
IPDQ60R010S7AXTMA1
a partir de € 14,585*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD90P04P4L04ATMA2, VDSS 40 V, ID 90 A, PG-TO252-3-313 (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3-313 Tipo de Montaje = SMD
Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2
a partir de € 1,674*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NVMYS7D3N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 52 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 52 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Re...
onsemi
NVMYS7D3N04CLTWG
a partir de € 1,565*
por 5 unidades
 
 envase
Infineon IPDD60R190G7 transistore 600 V (2 ofertas)
Infineon
IPDD60R190G7XTMA1
a partir de € 1,27*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 89A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 89W Polarización: unipolar Clase de ...
Infineon
IRLR8103VTRPBF
a partir de € 846,86*
por 2.000 unidades
 
 envase
ONSEMI NVS4409NT1G MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 25V, SOT-323 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.249 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
onsemi
NVS4409NT1G
a partir de € 0,835*
por 5 unidades
 
 envase
Infineon IPD80R600P7 transistore 800 V (1 oferta)
Infineon
IPD80R600P7ATMA1
€ 1.615,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm (1 oferta) 
Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS Montaje: SMD Carcasa: WSON6 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 26mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disip...
Texas Instruments
CSD17313Q2T
a partir de € 0,60*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NVMFD6H846NLT1G MOSFET DOBLE, CANAL N, 80V, 31A, DFN (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 80 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 31 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión D...
onsemi
NVMFD6H846NLT1G
a partir de € 0,764*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPDQ60R010S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, QDPAK de 22 pines (1 oferta) 
El Infineon IPDQ60R010S7 es el MOSFET de potencia de canal N y ofrece el mejor rendimiento para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El MOSFET está optimizado para aplicaciones de conmut...
Infineon
IPDQ60R010S7XTMA1
€ 10.723,50*
por 750 unidades
 
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