ONSEMI NVS4409NT1G MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 25V, SOT-323

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.249 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 700 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-323 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 25 V Disipación de Potencia 280 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)