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  MOSFET  (23.963 ofertas entre 5.810.109 artículos)

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PANASONIC AQV210EHA REL MOSFET, SPST-NO, 0.13A, 350V, SMD (1 oferta) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 0.8 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 1 µA Gama de Producto PhotoMOS AQV21 Terminales del Relé Gull Wing Resistencia en Conducción Máx. 35 ohm Tipo de...
Panasonic
AQV210EHA
a partir de € 2,02*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0,3A; 1,1W; SOT89 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: SOT89 Tensión drenaje-fuente: 400V Corriente del drenaje: 0,3A Resistencia en estado de transferencia: 9Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,1W Po...
IXYS
CPC3909CTR
a partir de € 0,41*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMTS0D6N04CTXG, VDSS 40 V, ID 533 A, DFNW8 de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspecti...
onsemi
NVMTS0D6N04CTXG
a partir de € 3,88*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPG20N04S4L11AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 doble de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = IPG Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador...
Infineon
IPG20N04S4L11AATMA1
a partir de € 0,676*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,2A; 1,3W; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 6,2A Resistencia en estado de transferencia: 20mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSS32334C
a partir de € 0,32*
por 5 unidades
 
 envase
PANASONIC AQV214EHA REL MOSFET SàLIDO SPST 0.12A/400V (3 ofertas) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 0.8 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 1 µA Gama de Producto PhotoMOS AQV21 Terminales del Relé Gull Wing Resistencia en Conducción Máx. 50 ohm Tipo de...
Panasonic
AQV214EHA
a partir de € 2,02*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPDD60R050G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 57 A, HDSOP de 10 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 57 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HDSOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 10 Modo de C...
Infineon
IPDD60R050G7XTMA1
€ 5,455*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 80A Resistencia en estado de transferencia: 3,8mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 25...
onsemi
FDP8860
a partir de € 1,26*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMTS0D7N04CTXG, VDSS 40 V, ID 420 A, DFNW8 de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspecti...
onsemi
NVMTS0D7N04CTXG
a partir de € 4,123*
por unidad
 
 unidad
PANASONIC AQV216SX MOSFET RELAY/SPST-NO, 0.04A, 600V, SOP-6 (1 oferta) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 0.8 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 1 µA Gama de Producto PhotoMOS AQV Series Terminales del Relé Gull Wing Resistencia en Conducción Máx. 120 ohm T...
Panasonic
AQV216SX
a partir de € 3,05*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IPI029N06NAKSA1
a partir de € 0,92*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1,2A; 2W; SOT223 (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 400V Corriente del drenaje: 1,2A Resistencia en estado de transferencia: 3,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2W...
onsemi
FDT3N40TF
a partir de € 0,43*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMYS011N04CTWG, VDSS 40 V, ID 35 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de auto...
onsemi
NVMYS011N04CTWG
a partir de € 1,425*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPG20N06S2L65AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, TDSON de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Serie = OptiMOS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dren...
Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1
a partir de € 0,63*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,5A; 1,71W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 6,5A Resistencia en estado de transferencia: 24mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
Diodes
DMG4800LK3-13
a partir de € 0,134*
por unidad
 
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