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MOSFET Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, QDPAK de 22 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2250578
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPDQ60R010S7AXTMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V
Serie = IPDQ60R010S7A
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 22
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,01 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.5V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
QDPAK
Serie:
IPDQ60R010S7A
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
22
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,01 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2250578, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPDQ60R010S7AXTMA1
Resumen de condiciones1
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