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  Mosfet (941 artículos)

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MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 45m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
a partir de € 9,75*
por unidad
 
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MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
a partir de € 11,772*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 36 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
a partir de € 13,96*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
a partir de € 16,217*
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MOSFET STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
a partir de € 21,86*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
a partir de € 47,184*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW70N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTW70N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia ...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
a partir de € 30,00*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW70N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTW70N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia ...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
a partir de € 33,245*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW90N65G2V, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 119 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTW90 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
a partir de € 24,46*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW90N65G2V, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 119A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por ár...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
a partir de € 25,315*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
a partir de € 12,30*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
a partir de € 11,722*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTWA40N120G2V-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Res...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
a partir de € 13,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
SiC MOSFETMOSFET STMicroelectronics de 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC con un IGBT Trench Field Stop (TFS) con la misma tensión nominal y resistencia de estado de conexión equivalente. El M...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
a partir de € 30,601*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máx...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
a partir de € 21,46*
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