N.º art.: 3318E-2010886
N.º fabricante: SCTW90N65G2V
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 119 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTW90 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,024 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 5V Material del transistor = SiC
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
119 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
HiP247
Serie:
SCTW90
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,024 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
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