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| N.º art.:
3318E-2122094 N.º fabricante:
SCTWA40N120G2V-4 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| SiC MOSFETMOSFET STMicroelectronics de 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC con un IGBT Trench Field Stop (TFS) con la misma tensión nominal y resistencia de estado de conexión equivalente. El MOSFET STPOWER SiC presenta pérdidas de conmutación significativamente reducidas, incluso a altas temperaturas. Esto permite al diseñador funcionar a frecuencias de conmutación muy altas, reduciendo el tamaño de los componentes pasivos para factores de forma más pequeños.Pérdidas de conmutación muy bajas Bajas pérdidas de potencia a altas temperaturas Mayor temperatura de funcionamiento (hasta 200 ˚C) Diodo de cuerpo sin pérdidas de recuperación Fácil de manejar Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 45 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1.200 V | Tipo de Encapsulado: | HiP247-4 | Serie: | SCTWA40N120G2V-4 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,07 Ω | Material del transistor: | SiC |
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