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| N.º art.: 3318E-2010860 N.º fabricante: SCTW35N65G2V EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTW35 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,045 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 45 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | HiP247 | Serie: | SCTW35 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,045 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2010860, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, SCTW35N65G2V |
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