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Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT30N120H, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (2 ofertas) 
STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión...
ST Microelectronics
SCT30N120H
a partir de € 15,597*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT30N120H, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCT30N120H Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenc...
ST Microelectronics
SCT30N120H
a partir de € 16,167*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia d...
ST Microelectronics
SCT50N120
a partir de € 24,63*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 65 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
ST Microelectronics
SCT50N120
a partir de € 32,007*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG, VDSS 650 V, ID 98 A, H2PAK-7 de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 98 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resisten...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
a partir de € 23,476*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG, VDSS 650 V, ID 98 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispos...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
a partir de € 23,473*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 55m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
a partir de € 8,59*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTH35 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dren...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
a partir de € 11,861*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines, 2elementos (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resisten...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
a partir de € 9,09*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines, 2elementos (1 oferta) 
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispo...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
a partir de € 12,366*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH40N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
a partir de € 11,989*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
a partir de € 13,573*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispos...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V7AG
a partir de € 13,08*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V7AG
a partir de € 13,67*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCTH50N120-7, VDSS 1.200 V, ID 55 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH50N120-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máx...
ST Microelectronics
SCTH50N120-7
a partir de € 44,422*
por unidad
 
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