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| N.º art.:
3318E-2010891 N.º fabricante:
SCTH35N65G2V-7 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Serie = SCTH35
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,055 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 3.2V
Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 45 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | H2PAK-7 | Serie: | SCTH35 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 7 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,055 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.2V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2010891, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, SCTH35N65G2V7 |
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