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| N.º art.:
3318E-2043951 N.º fabricante:
SCT30N120H EAN/GTIN:
Sin datos |
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| STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión inigualable por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura. Las excelentes propiedades térmicas del material SiC, combinadas con la carcasa del dispositivo en el encapsulado HiP247 propio, permiten a los diseñadores utilizar un contorno estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada. Estas características hacen que el dispositivo sea perfectamente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C) Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto Baja capacitancia Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 45 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1.200 V | Tipo de Encapsulado: | HiP247 | Serie: | SCT30N120H | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,09 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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| Otros conceptos de búsqueda: transistor smd, 2043951, Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET, STMicroelectronics, SCT30N120H |
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