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Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2025479
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     SCT50N120
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2025479
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Tipo de Encapsulado = HiP247
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,59 Ω
Modo de Canal = Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima = 3V
Material del transistor = SiC
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
HiP247
Serie:
SCT
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,59 Ω
Modo de Canal:
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima:
3V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: STMicroelectronics, SCT50N120
Resumen de condiciones1
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