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MOSFET STMicroelectronics SCTW90N65G2V, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 119A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por ár...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
a partir de € 25,315*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
a partir de € 12,25*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
a partir de € 11,722*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTWA40N120G2V-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Res...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
a partir de € 13,58*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
SiC MOSFETMOSFET STMicroelectronics de 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC con un IGBT Trench Field Stop (TFS) con la misma tensión nominal y resistencia de estado de conexión equivalente. El M...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
a partir de € 30,601*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máx...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
a partir de € 21,40*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTW Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuent...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
a partir de € 24,038*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247-4 de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
a partir de € 36,37*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
a partir de € 75,052*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 119 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTWA90N65G2V-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resis...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
a partir de € 25,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
a partir de € 28,542*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SD2931-10W, VDSS 125 V, ID 20 A, M174 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
ST Microelectronics
SD2931-10W
a partir de € 59,76*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SD2931-10W, VDSS 125 V, ID 20 A, M174 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
ST Microelectronics
SD2931-10W
a partir de € 70,132*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SH32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 32 A, ACEPACK SMIT de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 32 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
SH32N65DM6AG
a partir de € 3.176,40*
por 200 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics SH32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 32 A, ACEPACK SMIT de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 32 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
SH32N65DM6AG
a partir de € 15,979*
por unidad
 
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