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| N.º art.:
3318E-2330475 N.º fabricante:
SCTWA70N120G2V-4 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Tipo de Encapsulado = HiP247-4
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,03 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.9V
Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 91 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1.200 V | Tipo de Encapsulado: | HiP247-4 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,03 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.9V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2330475, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, SCTWA70N120G2V4 |
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