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MOSFET STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2300094
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     SCTWA60N120G2-4
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Serie = SCTW
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 5,2e+007 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 5V
Más información:
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
HiP247-4
Serie:
SCTW
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
5,2e+007 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Otros conceptos de búsqueda: 2300094, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, SCTWA60N120G24
Resumen de condiciones1
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