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  Transistores de potencia  (19.444 ofertas entre 5.805.969 artículos)

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DIODES INC. ZTX795A TRANS, PNP, 140V, 0,5A, 200°C, 1,5W (1 oferta) 
Gama de Producto ZTX Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición 100 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 140 V Encapsulado...
Diodes
ZTX795A
a partir de € 0,361*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS100R12W2T7B11BOMA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo 6 Paquete de seis (3 ofertas) 
El módulo IGBT Infineon EasyPack de seis paquetes con tecnología de contacto TRENCHSTOP IGBT7, NTC y Pressfit. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V y una corriente de colector de 100 ...
Infineon
FS100R12W2T7B11BOMA1
a partir de € 65,99*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. MMST3904Q-7-F TRANS, NPN, 40V, 0.2A, 150°C, 0.2W (1 oferta) 
Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor NPN Frecuencia de Transición 300 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 40 V Encapsulado del Tr...
Diodes
MMST3904Q-7-F
a partir de € 0,203*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta) 
Número de transistores = 2
onsemi
NXH80B120MNQ0SNG
€ 1.859,304*
por 24 unidades
 
 envase
DIODES INC. ZTX796A TRANS, PNP, 200V, 0,5A, 200°C, 1,5W (1 oferta) 
Gama de Producto ZTX Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición 100 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 200 V Encapsulado...
Diodes
ZTX796A
a partir de € 0,36*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS200R12PT4PBOSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, Módulo, 20-Pines 6 Paquete de seis (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de...
Infineon
FS200R12PT4PBOSA1
a partir de € 307,96*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. MMSTA55-7-F TRANS, PNP, 60V, 0.5A, 150°C, 0.2W (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición ...
Diodes
MMSTA55-7-F
a partir de € 0,295*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FP35R12W2T4PB11BPSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, EASY2B 7 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 35 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = EASY2B Tipo de ...
Infineon
FP35R12W2T4PB11BPSA1
a partir de € 49,56*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. ZTX851STZ TRANS, NPN, 60V, 5A, 200°C, 1.58W (1 oferta) 
Gama de Producto ZTX Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor NPN Frecuencia de Transición 130 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 60 V Encapsulado ...
Diodes
ZTX851STZ
a partir de € 0,403*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS150R12KT3BOSA1, 200 A, 1200 V 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Número de transistores = 6
Infineon
FS150R12KT3BOSA1
€ 2.145,51*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia d...
ST Microelectronics
SCT50N120
a partir de € 24,59*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. ZTX949 TRANS, PNP, 30V, 4,5A, 200°C, 1,58W (1 oferta) 
Gama de Producto ZTX Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición 100 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 30 V Encapsulado ...
Diodes
ZTX949
a partir de € 0,452*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS3L200R10W3S7FB94BPSA1, 70 A, 950 V 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 70 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 950 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW
Infineon
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1
a partir de € 205,208*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. ZDT6753TA MATRIZ BIPOLAR, NPN/PNP, 100V, 2A, SM8 (2 ofertas) 
Frecuencia de Transición NPN 175 MHz Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Tra...
Diodes
ZDT6753TA
a partir de € 0,43*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FP50R06W2E3BOMA1, 65 A, 600 V 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 65 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 175 W
Infineon
FP50R06W2E3BOMA1
a partir de € 51,751*
por unidad
 
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