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Módulo IGBT, FS200R12PT4PBOSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, Módulo, 20-Pines 6 Paquete de seis


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2184363
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FS200R12PT4PBOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V
Disipación de Potencia Máxima = 20 mW
Tipo de Encapsulado = Módulo
Tipo de Canal = N
Conteo de Pines = 20
Configuración de transistor = Paquete de seis
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
20V
Disipación de Potencia Máxima:
20 mW
Número de transistores:
6
Tipo de Encapsulado:
Módulo
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
20
Configuración de transistor:
Paquete de seis
Otros conceptos de búsqueda: transistor de potencia, 2184363, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FS200R12PT4PBOSA1
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a partir de 5 unidades
€ 307,96*
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