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  Transistor de efecto de campo  (269 ofertas entre 5.837.961 artículos)

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MOSFET onsemi 2N7002, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002
a partir de € 1,88*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrap...
Nexperia
PMXB40UNEZ
a partir de € 2,375*
por 25 unidades
 
 envase
MOSFET Nexperia PMV65XPEAR, VDSS -20 V, ID 3,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de automoción. La cartera de más grande del mundo de MOSFET de potencia con certificación AEC-Q101. Un profundo conocimiento de los requisitos de los sistemas de automoción y una gran capaci...
Nexperia
PMV65XPEAR
a partir de € 0,0941*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Nexperia PMV20XNEAR, VDSS 20 V, ID 6,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de zanja de canal N, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño qu...
Nexperia
PMV20XNEAR
a partir de € 0,59*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002K, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002K
a partir de € 126,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET Nexperia PMXB75UPEZ, VDSS 20 V, ID 2,9 A, DFN1010D-3, SOT1215 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de zanja de canal P, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrap...
Nexperia
PMXB75UPEZ
a partir de € 4,70*
por 50 unidades
 
 envase
MOSFET Nexperia PMXB56ENZ, VDSS 30 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N de 25 V - 30 V, Rendimiento robusto gracias a los conocimientos tecnológicos avanzados, MOSFET fáciles de usar en el rango de 25 V a 30 V. Perfectos para aplicaciones de espacio y...
Nexperia
PMXB56ENZ
€ 515,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
MOSFET Nexperia PMV28UNEAR, VDSS 20 V, ID 4,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de automoción. La cartera de más grande del mundo de MOSFET de potencia con certificación AEC-Q101. Un profundo conocimiento de los requisitos de los sistemas de automoción y una gran capaci...
Nexperia
PMV28UNEAR
€ 357,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002KW, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002KW
a partir de € 0,0577*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ON Semiconductor NDS9945, VDSS 60 V, ID 3,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (2 ofertas) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
onsemi
NDS9945
a partir de € 0,619*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Nexperia PSMN3R5-30YL,115, VDSS 30 V, ID 100 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal N de 25 V - 30 V, Rendimiento robusto gracias a los conocimientos tecnológicos avanzados, MOSFET fáciles de usar en el rango de 25 V a 30 V. Perfectos para aplicaciones de espacio y...
Nexperia
PSMN3R5-30YL,115
a partir de € 0,574*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Nexperia PMXB120EPEZ, VDSS 30 V, ID 2,4 A, DFN1010D-3, SOT1215 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas e...
Nexperia
PMXB120EPEZ
a partir de € 0,415*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002V, VDSS 60 V, ID 280 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado (2 ofertas) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
onsemi
2N7002V
a partir de € 0,138*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7000
a partir de € 0,11*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ON Semiconductor BS270, VDSS 60 V, ID 400 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BS270
a partir de € 0,10*
por unidad
 
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