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MOSFET onsemi 2N7002T, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8051132
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     2N7002T
EAN/GTIN:
     5059042486247
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-523 (SC-89)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
13,5 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
200 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
1.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, 8051132, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, 2N7002T
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Accesorios
Multímetro Fluke 27, 1000V ac/1000V dc, 10A ac/10A dc, TRMS, CAT III, CAT IV
Fluke
Fluke 27-II
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