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MOSFET onsemi BSS138, VDSS 50 V, ID 220 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1241694
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     BSS138
EAN/GTIN:
     5059042707335
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
220 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
50 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
3,5 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.8V
Disipación de Potencia Máxima:
360 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, transistor de efecto de campo, 1241694, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, BSS138
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