Módulos IGBT | MERCATEO (Página 11/99)

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IGBT, FP50R12N2T7B11BPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, Módulo, 23-Pines 7 Trifásico (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7 Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = ...

Infineon

FP50R12N2T7B11BPSA1

a partir de € 77,785*
por unidad

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 oferta)

Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: SEMITRANS3 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 324A Corriente d...

SEMIKRON DANFOSS

SKM300GAL12E4 22892334

a partir de € 118,70*
por unidad

IGBT, F3L600R10W4S7FC22BPSA1, 310 A, 950 V, Módulo EasyPACK (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 310 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 950 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo EasyPACK

Infineon

SP005434947

a partir de € 220,503*
por unidad

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 oferta)

Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 3 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 124A Corriente...

SEMIKRON DANFOSS

SKIIP 39ANB16V1 25230180

a partir de € 172,59*
por unidad

IGBT, FP35R12N2T7BPSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, Módulo, 23-Pines 7 Trifásico (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 35 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Configuración = Trifásico Tipo de Mo...

Infineon

FP35R12N2T7BPSA1

a partir de € 653,50*
por 10 unidades

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 oferta)

Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 1 Potencia: 5,5kW Tensión de retorno máx.: 1,6kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector...

SEMIKRON DANFOSS

SKIIP 12NAB12T4V1 25231440

a partir de € 30,36*
por unidad

IGBT, FP200R12N3T7BPSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, Módulo, 46-Pines 7 Trifásico (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7 Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje =...

Infineon

FP200R12N3T7BPSA1

€ 3.221,39*
por 10 unidades

Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV (1 oferta)

SEMIKRON DANFOSS

SKM300GAR12E4 22892418

a partir de € 113,17*
por unidad

IGBT, FP75R12N2T7B11BPSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Módulo, 31-Pines 7 Trifásico (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de...

Infineon

FP75R12N2T7B11BPSA1

€ 1.066,87*
por 10 unidades

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 oferta)

Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 3 Potencia: 15kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector:...

SEMIKRON DANFOSS

SKIIP 35NAB12T4V1 25231470

a partir de € 209,33*
por unidad

IGBT, FP100R12N2T7BPSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo, 31-Pines 7 Trifásico (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7 Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje =...

Infineon

FP100R12N2T7BPSA1

€ 1.264,39*
por 10 unidades

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 oferta)

Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: SEMITRANS2 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 179A Corriente d...

SEMIKRON DANFOSS

SKM150GAL12T4 22892300

a partir de € 69,54*
por unidad

IGBT, FP50R12N2T7B11BPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, Módulo, 23-Pines 7 Trifásico (2 ofertas)

Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de...

Infineon

FP50R12N2T7B11BPSA1

a partir de € 73,03*
por unidad

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 oferta)

Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: SEMITRANS3 Tensión de retorno máx.: 1,7kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 248A Corriente d...

SEMIKRON DANFOSS

SKM200GAL17E4 22895110

a partir de € 126,06*
por unidad

IGBT, FP35R12N2T7B11BPSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, Módulo, 23-Pines 7 Trifásico (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 35 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7 Configuración = Trifásico Tipo de Montaje = Mon...

Infineon

FP35R12N2T7B11BPSA1

€ 875,58*
por 10 unidades

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