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  Módulos IGBT  (1.479 ofertas entre 5.837.527 artículos)

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Módulo IGBT, SKM200GB12E4 , N-Canal, 314 A, 1200 V, SEMITRANS3, 7-Pines Serie (2 ofertas) 
Módulos IGBT dobles. Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensio...
Semikron
SKM200GB12E4
a partir de € 139,947*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, SKM400GB126D, N-Canal, 470 A, 1.200 V, SEMITRANS3, 7-Pines Serie (2 ofertas) 
Módulos IGBT dobles. Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensio...
Semikron
SKM400GB126D
a partir de € 233,33*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, SKM50GB12T4 , N-Canal, 81 A, 1200 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie (1 oferta) 
Módulos IGBT dobles. Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensio...
Semikron
SKM50GB12T4
a partir de € 66,756*
por unidad
 
 unidad
Módulo rectificador de puente, DDB6U100N16RRBOSA1, Trifásico, 100A 1600V, Conexión de silicio, 17 pines IGBT Plus (1 oferta) 
Módulo de rectificador de puente trifásico, serie DDB6U, Infineon. Los rectificadores en puente trifásicos de Infineon Eupec™ EconoBRIDGE™ y EasyBRIDGE cuentan con un conector macho de soldadura y ...
Infineon
DDB6U100N16RRBOSA1
€ 669,89*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: SEMITRANS3 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 324A Corriente d...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL12E4 22892314
a partir de € 141,45*
por unidad
 
 unidad
IGBT, F3L600R10W4S7FC22BPSA1, 310 A, 950 V, Módulo EasyPACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 310 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 950 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo EasyPACK
Infineon
SP005434947
€ 1.453,878*
por 6 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: SEMITRANS2 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 123A Corriente d...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL12T4 22892600
a partir de € 48,98*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FP35R12N2T7BPSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, Módulo, 23-Pines 7 Trifásico (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 35 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de...
Infineon
FP35R12N2T7BPSA1
a partir de € 63,727*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 2 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 83A Corriente ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 28ANB16V2 25230480
a partir de € 114,43*
por unidad
 
 unidad
IGBT, CM450DX -24T #300G, N-Canal, 450, 1.200 V, Módulo 2 Medio puente doble (1 oferta) 
El Mitsubishi Electric 1200V de módulo IGBT doble tiene base plana y seis controladores por módulo con perfil bajo. Dispone de 300A de corriente de colector continua y es adecuado para aplicaciones...
Mitsubishi
CM450DX -24T 300G
a partir de € 144,058*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper,Termistor; Ic: 379A (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: SEMIX2S Tensión de retorno máx.: 0,6kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 379A Corriente de c...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX402GAL066HDS 27891104
a partir de € 84,86*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FP100R12N2T7BPSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo, 31-Pines 7 Trifásico (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo d...
Infineon
FP100R12N2T7BPSA1
a partir de € 126,81*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; T2 (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: SEMITOP2 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 35A Corriente de c...
SEMIKRON DANFOSS
SK 35 GAL 12T4 24915850
a partir de € 14,35*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FP150R12N3T7BPSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, Módulo, 43-Pines 7 Trifásico (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo d...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
€ 2.795,79*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: SEMITRANS2 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 150A Corriente d...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GAR12T4 22892400
a partir de € 52,18*
por unidad
 
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