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IGBT, FP35R12N2T7B11BPSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, Módulo, 23-Pines 7 Trifásico


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2326706
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FP35R12N2T7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 35 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Número de transistores = 7
Configuración = Trifásico
Tipo de Montaje = Montaje en panel
Tipo de Canal = N
Conteo de Pines = 23
Configuración de transistor = Trifásico
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
35 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
20 mW
Número de transistores:
7
Configuración:
Trifásico
Tipo de Encapsulado:
Módulo
Tipo de Montaje:
Montaje en panel
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
23
Configuración de transistor:
Trifásico
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2326706, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FP35R12N2T7B11BPSA1
Resumen de condiciones1
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